एक $LED$ के लिए विद्युत चुम्बकीय स्पेक्ट्रम के दृश्य क्षेत्र में प्रकाश उत्सर्जित करने हेतु,इसका ऊर्जा बैंड अंतराल किस सीमा में होना चाहिए? (प्लांक नियतांक,$h = 6.6 \times 10^{-34} \ J s$ और निर्वात में प्रकाश की गति,$c = 3 \times 10^8 \ m s^{-1}$)

  • A
    $0.1 \ eV$ से $0.4 \ eV$
  • B
    $0.9 \ eV$ से $1.6 \ eV$
  • C
    $1.7 \ eV$ से $3.1 \ eV$
  • D
    $0.5 \ eV$ से $0.8 \ eV$

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तीन परिपथ घटकों $A, B$ और $C$ के लिए,प्रयोगशाला में निम्नलिखित अवलोकन किए गए:
$(a)$ घटक $A$ $d.c.$ का चालन नहीं कर सकता है लेकिन अपने माध्यम से $a.c.$ को गुजरने देता है।
$(b)$ घटक $B$ $AC$ और $DC$ दोनों का चालन करता है लेकिन केवल एक ही दिशा में।
$(c)$ घटक $C$,जब $DC$ के साथ जोड़ा जाता है,तो केवल एक ध्रुवता के लिए चालन करता है और प्रकाश उत्सर्जित करता है जिसकी तीव्रता लागू वोल्टेज में वृद्धि के साथ पहले बढ़ती है और फिर घटती है।
घटकों $A, B$ और $C$ की पहचान क्रमशः इस प्रकार की गई है

$LED$ की अधिकतम रेटेड शक्ति $2 \text{ mW}$ है और इसे नीचे दिए गए चित्र में दिखाए अनुसार $5 \text{ V}$ के इनपुट वोल्टेज के साथ सर्किट में उपयोग किया जाता है। प्रतिरोध $R$ से गुजरने वाली धारा $0.5 \text{ mA}$ है। यह सुनिश्चित करने के लिए कि $LED$ क्षतिग्रस्त न हो, प्रतिरोध $R_S$ का न्यूनतम मान . . . . . . $\text{k}\Omega$ है।

कथन: रिवर्स बायस वाले $p-n$ जंक्शन का उपयोग प्रकाश की तीव्रता को मापने के लिए फोटो-डायोड के रूप में किया जा सकता है।
कारण: रिवर्स बायस स्थिति में धारा कम होती है लेकिन यह आपतित प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन के प्रति अधिक संवेदनशील होती है।

$3.1 \,eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक से एक $p-n$ फोटोडायोड निर्मित किया गया है। निम्नलिखित में से कौन सी तरंगदैर्ध्य इसके द्वारा पता लगाई जा सकती है?

फोटोडायोड एक ऐसा उपकरण है

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