આદર્શ ડાયોડ માટે,ફોરવર્ડ અને રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં અવરોધ અનુક્રમે કેટલો હોય છે?

$p-n$ જંકશન ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં $20 \, mA$ સુધીનો પ્રવાહ સહન કરી શકે છે। ડાયોડના બે છેડા વચ્ચેનો પોટેન્શિયલ તફાવત $0.5 \, V$ છે, જે પ્રવાહથી સ્વતંત્ર માનવામાં આવે છે। જ્યારે $125 \, \Omega$ નો અવરોધ તેની સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે ત્યારે ડાયોડને ફોરવર્ડ બાયસ કરવા માટે વપરાતી બેટરીનો મહત્તમ વોલ્ટેજ કેટલો હશે ($V$ માં)?

$P-N$ જંકશનના ફૉરવર્ડ બાયસ અવરોધ અને રિવર્સ બાયસ અવરોધનો ગુણોત્તર આશરે ....... છે.

એક સેમિકન્ડક્ટર $X$ ને જર્મેનિયમ ક્રિસ્ટલમાં ઇન્ડિયમ $(Z = 49)$ ઉમેરીને બનાવવામાં આવે છે. બીજું સેમિકન્ડક્ટર $Y$ જર્મેનિયમ ક્રિસ્ટલમાં આર્સેનિક $(Z = 33)$ ઉમેરીને બનાવવામાં આવે છે. બંનેને છેડેથી જોડીને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

ડાયોડનો વોલ્ટેજ $0.5 \ V$ અને મહત્તમ પાવર રેટિંગ $100 \ mW$ છે. પરિપથમાં મહત્તમ પ્રવાહ મેળવવા માટે $R$ નું મૂલ્ય .......... $\Omega$ હોવું જોઈએ.

અનબાયસ્ડ (unbiased) $p-n$ જંકશનમાં: