આપેલ આકૃતિ માટે,જ્યારે આદર્શ ડાયોડ '$D$' ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય ત્યારે બિંદુઓ $A$ અને $B$ વચ્ચેનો અવરોધ '$R_1$' છે અને જ્યારે તે રિવર્સ બાયસમાં હોય ત્યારે '$R_2$' છે. ગુણોત્તર $\frac{R_1}{R_2}$ શોધો.

નીચેનામાંથી કયો સર્કિટ રિવર્સ-બાયસ્ડ (reverse-biased) છે?

અનબાયસ્ડ $PN$ જંકશનના ડેપ્લેશન ઝોન (depletion zone) અંગે નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન/વિધાનો સાચું/સાચા છે?
$(A)$ ઝોનની પહોળાઈ ડોપન્ટ્સ (અશુદ્ધિઓ) ની ઘનતાથી સ્વતંત્ર છે.
$(B)$ ઝોનની પહોળાઈ ડોપન્ટ્સની ઘનતા પર આધારિત છે.
$(C)$ ઝોનમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર આયનીકૃત ડોપન્ટ પરમાણુઓ દ્વારા ઉત્પન્ન થાય છે.
$(D)$ ઝોનમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર કન્ડક્શન બેન્ડમાં રહેલા ઇલેક્ટ્રોન અને વેલેન્સ બેન્ડમાં રહેલા હોલ્સ દ્વારા પૂરું પાડવામાં આવે છે.

$p-n$ જંકશનના $n$-વિસ્તારમાં રહેલો એક ઇલેક્ટ્રોન $5 \times 10^5 \ m/s$ ની ઝડપથી જંકશન તરફ ગતિ કરે છે. જો જંકશનનો બેરિયર પોટેન્શિયલ $0.45 \ V$ હોય, તો બેરિયરમાંથી પસાર થયા પછી ઇલેક્ટ્રોન જે ઝડપ સાથે $p$-વિસ્તારમાં પ્રવેશ કરે છે તે શોધો (ઇલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $e = 1.6 \times 10^{-19} \ C$ અને ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $m = 9 \times 10^{-31} \ kg$).

ફોરવર્ડ બાયસ્ડ $p-n$ જંકશન ડાયોડમાં,ડેપ્લેશન રિજનમાં પોટેન્શિયલ બેરિયર કયા સ્વરૂપમાં હશે?

$P-N$ જંકશનમાં $0.5 \ V$ નો પોટેન્શિયલ બેરિયર છે. જો એક ઈલેક્ટ્રોન $N$-બાજુથી $5 \times 10^5 \ m/s$ ની ઝડપથી $P-N$ જંકશન ડાયોડમાં દાખલ થાય,તો $P$-બાજુથી બહાર નીકળતી વખતે તેની ઝડપ કેટલી હશે?