प्रकाश के उत्सर्जन के लिए,एक प्रकाश उत्सर्जक डायोड $(LED)$ का उपयोग कैसे किया जाता है?

जब $2480 \; nm$ से कम तरंग दैर्ध्य का विद्युत चुम्बकीय विकिरण एक अर्धचालक पर आपतित होता है,तो उसकी विद्युत चालकता बढ़ जाती है। अर्धचालक के लिए $eV$ में बैंड गैप है

सौर सेल के निर्माण के लिए आदर्श सामग्री क्या है? और चयन के लिए मानदंड बताइए।

निम्नलिखित कथनों $A$ और $B$ पर विचार करें और सही उत्तर की पहचान करें:
$A$. सौर सेल के लिए,$I-V$ अभिलक्षण दिए गए ग्राफ के $IV$ चतुर्थांश में स्थित होते हैं।
$B$. एक रिवर्स बायस्ड $pn$ जंक्शन डायोड में,$(\mu A)$ में मापा गया करंट बहुसंख्यक आवेश वाहकों (majority charge carriers) के कारण होता है।

एक ऐसी स्थिति पर विचार करें जिसमें एक विशिष्ट $P-N$ जंक्शन का रिवर्स बायस करंट तब बढ़ जाता है जब इसे $\lambda \le 621 \, nm$ तरंगदैर्ध्य के प्रकाश के संपर्क में लाया जाता है। इस प्रक्रिया के दौरान,होल-इलेक्ट्रॉन जोड़े के निर्माण के कारण वाहक सांद्रता में वृद्धि होती है। बैंड गैप का मान लगभग है ($eV$ में):

किस प्रकार के अर्धचालक उपकरण को किसी बायस वोल्टेज की आवश्यकता नहीं होती है?