$PN-$ જંકશન ડાયોડના આપેલ પરિપથ માટે,નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

આપેલ સર્કિટમાં,ઇનપુટ વોલ્ટેજ $V_{\text{in}}$ આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. $p-n$ જંકશન ડાયોડ ($D_{1}$ અથવા $D_{2}$) નો કટ-ઇન વોલ્ટેજ $0.6\,V$ છે. ડાયોડની આજુબાજુનો નીચેનામાંથી કયો આઉટપુટ વોલ્ટેજ $(V_{0})$ વેવફોર્મ સાચો છે?

$P-N$ જંકશન ડાયોડમાં રિવર્સ બાયસને મોટા મૂલ્ય સુધી વધારતા,પ્રવાહ

નીચેનામાંથી કઈ આકૃતિમાં ડાયોડ રિવર્સ બાયસ (reverse biased) છે?

નીચે આપેલા વિધાનો $A$ અને $B$ ને ધ્યાનમાં લો અને આપેલા જવાબોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો:
$A:$ $P-N$ જંકશન ડાયોડમાં ફોરવર્ડ બાયસમાં ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ વધે છે.
$B:$ આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં,ફર્મી એનર્જી લેવલ ફોરબિડન ગેપની બરાબર મધ્યમાં હોય છે.

$P-N$ જંકશનમાં,જ્યારે બાયસિંગ . . . હોય ત્યારે સર્કિટમાં એવાલાન્ચ પ્રવાહ વહે છે.