गैडोलीनियम की तीसरी आयनन एन्थैल्पी का मान कम | vedclass

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Question

(A) $Gd$ $(Z=64)$ का इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $[Xe] 4f^7 5d^1 6s^2$ है।$Gd^{2+}$ के निर्माण पर,विन्यास $[Xe] 4f^7 5d^1$ हो जाता है।तीसरी आयनन एन्थैल्पी मे

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उच्च विनिमय एन्थैल्पी

Vedclass · Answer

(A) $Gd$ $(Z=64)$ का इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $[Xe] 4f^7 5d^1 6s^2$ है।$Gd^{2+}$ के निर्माण पर,विन्यास $[Xe] 4f^7 5d^1$ हो जाता है।तीसरी आयनन एन्थैल्पी में $5d^1$ इलेक्ट्रॉन को हटाना शामिल है।इस इलेक्ट्रॉन को हटाने के बाद,शेष $4f^7$ विन्यास अर्ध-पूर्ण है,जो उच्च विनिमय ऊर्जा के कारण अत्यधिक स्थिर है।इसलिए,तीसरी आयनन के लिए आवश्यक ऊर्जा अपेक्षाकृत कम होती है।

गैडोलीनियम की तीसरी आयनन एन्थैल्पी का मान कम होता है क्योंकि $......$

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