નીચે બે વિધાનો આપેલા છે:વિધાન I: Na ની બીજી આ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(A) વિધાન $I$: $Na^{+}$ ની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $1s^{2} 2s^{2} 2p^{6}$ છે, જે સ્થાયી નિષ્ક્રિય વાયુ જેવી રચના છે. $Na^{+}$ માંથી બીજો ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા

Vedclass · Accepted Answer

બંને વિધાન $I$ અને વિધાન $II$ સાચા છે

Vedclass · Answer

(A) વિધાન $I$: $Na^{+}$ ની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $1s^{2} 2s^{2} 2p^{6}$ છે, જે સ્થાયી નિષ્ક્રિય વાયુ જેવી રચના છે. $Na^{+}$ માંથી બીજો ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા માટે ખૂબ જ ઊંચી ઉર્જાની જરૂર પડે છે. તેનાથી વિપરીત, $Mg^{+}$ ની રચના $1s^{2} 2s^{2} 2p^{6} 3s^{1}$ છે, અને બીજો ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવાથી સ્થાયી $Mg^{2+}$ આયન $(1s^{2} 2s^{2} 2p^{6})$ મળે છે. આમ, $Na$ ની બીજી આયનીકરણ એન્થાલ્પી $Mg$ કરતા ઘણી વધારે છે. વિધાન $I$ સાચું છે.વિધાન $II$: $O^{2-}$ અને $F^{-}$ બંને $10$ ઇલેક્ટ્રોન ધરાવતી આઇસોઇલેક્ટ્રોનિક સ્પીસીઝ છે. આઇસોઇલેક્ટ્રોનિક સ્પીસીઝની આયનીય ત્રિજ્યા પરમાણુ ક્રમાંક $(Z)$ વધવાની સાથે ઘટે છે. $O$ નો પરમાણુ ક્રમાંક $(Z=8)$ એ $F$ $(Z=9)$ કરતા ઓછો હોવાથી, $O^{2-}$ ની આયનીય ત્રિજ્યા $F^{-}$ કરતા મોટી છે. વિધાન $II$ સાચું છે.

વિભાગ-$I$	વિભાગ-$II$
$(1)$ સક્રિય અધાતુ જેની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી વધુ છે.	$(A)$ $Na$
$(2)$ નરમ ધાતુ જેની આયનીકરણ એન્થાલ્પી ઓછી છે.	$(B)$ $Sb$
$(3)$ અર્ધધાતુ જે ${M_2}{O_3}$ પ્રકારના ઓક્સાઇડ બનાવે છે.	$(C)$ $He$
$(4)$ રાસાયણિક રીતે નિષ્ક્રિય વાયુ.	$(D)$ $Cl$

$A. S \rightarrow S^{-}$	$P. {\text{ઉષ્માશોષક પ્રક્રિયા}}$
$B. N^{-} \rightarrow N$	$Q. {\text{ઉષ્માક્ષેપક પ્રક્રિયા}}$
$C. O^{-} \rightarrow O^{2-}$	$R. {\text{નીપજમાં નિષ્ક્રિય વાયુ જેવી ઇલેક્ટ્રોન રચના}}$
$D. P \rightarrow P^{-}$	$S. {\text{નીપજમાં અર્ધ}-\text{પૂર્ણ ઇલેક્ટ્રોન રચના}}$

Similar Questions

નીચેનામાંથી કઈ પ્રક્રિયા મહત્તમ એન્થાલ્પી ફેરફાર સાથે સંકળાયેલી છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module