અષ્ટફલકીય સંકીર્ણમાં સ્ફટિક ક્ષેત્ર વિભાજન દરમિયાન $d^4$ આયન માટે $t_{2g}^4 e_g^0$ ઇલેક્ટ્રોન રચના કેવી રીતે શક્ય છે?

  • A
    $\Delta_0 = P$
  • B
    $\Delta_0 \leq P$
  • C
    $\Delta_0 < P$
  • D
    $\Delta_0 > P$

Explore More

Similar Questions

નિર્બળ ક્ષેત્રના લિગેન્ડ્સથી ઘેરાયેલા $3d^4$ ઇલેક્ટ્રોનિક રચના ધરાવતા ધાતુ આયનના ટેટ્રાહેડ્રલ સંકીર્ણમાં $CFSE$ નું મૂલ્ય કેટલું હશે?

$\left[ Co(CN)_6 \right]^{3-}$ માં મધ્યસ્થ ધાતુ પરમાણુ/આયનની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના શું છે?

મેટલ કોમ્પ્લેક્સમાં $t_{2g}^3, e_g^1$ કોન્ફિગરેશનને અનુકૂળ પરિસ્થિતિઓ અને પરિણામો કયા છે?

$[Co(en)_3]^{3+}$,$[CoF_6]^{3-}$,$[Mn(H_2O)_6]^{2+}$ અને $[Zn(H_2O)_6]^{2+}$ સંકીર્ણો પૈકી જેનું $CFSE$ સૌથી વધુ હોય તે સંકીર્ણની $d-$કક્ષકની ઇલેક્ટ્રોનીય રચના $:$ છે.

$d^3$, $d^4$ (લો સ્પિન), $d^5$ (હાઈ સ્પિન), $d^6$ (હાઈ સ્પિન) અને $d^7$ (લો સ્પિન) અષ્ટફલકીય સંકીર્ણ પ્રણાલીઓમાં હાજર અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોનની કુલ સંખ્યા . . . . . . છે.

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo