નીચેના સંકીર્ણ આયનો માટે શોષાયેલા પ્રકાશની તર | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(A) શોષાયેલા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $(\lambda)$ એ સ્ફટિક ક્ષેત્ર વિભાજન ઉર્જા $(\Delta_o)$ ના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં હોય છે.
સંબંધ આ મુજબ છે: $\Delta_o = \frac

Vedclass · Accepted Answer

$III > I > IV > II$

Vedclass · Answer

(A) શોષાયેલા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $(\lambda)$ એ સ્ફટિક ક્ષેત્ર વિભાજન ઉર્જા $(\Delta_o)$ ના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં હોય છે. સંબંધ આ મુજબ છે: $\Delta_o = \frac{hc}{\lambda}$. પ્રબળ લિગેન્ડ્સ વધુ વિભાજન $(\Delta_o)$ પ્રેરે છે,જેના પરિણામે ટૂંકી તરંગલંબાઈવાળા પ્રકાશનું શોષણ થાય છે. લિગેન્ડ્સ માટે સ્પેક્ટ્રોકેમિકલ શ્રેણી આ મુજબ છે: $I^{-} < H_2O < en < CN^{-}$. તેથી,સ્ફટિક ક્ષેત્ર વિભાજન ઉર્જા $(\Delta_o)$ નો ક્રમ છે: $[CoI_6]^{3-} < [Co(H_2O)_6]^{3+} < [Co(en)_3]^{3+} < [Co(CN)_6]^{3-}$. જેમ કે $\lambda$ એ $\Delta_o$ ના વ્યસ્ત પ્રમાણમાં છે,તેથી શોષાયેલા પ્રકાશની તરંગલંબાઈનો ઘટતો ક્રમ છે: $[CoI_6]^{3-} > [Co(H_2O)_6]^{3+} > [Co(en)_3]^{3+} > [Co(CN)_6]^{3-}$,જે $III > I > IV > II$ ને અનુરૂપ છે.

List-$I$ (\text{ચતુષ્ફલકીય ધાતુ આયનનું ઇલેક્ટ્રોનિક બંધારણ})	List-$II$ (\text{ક્રિસ્ટલ ફિલ્ડ સ્ટેબિલાઇઝેશન એનર્જી} $(\Delta_t)$)
$A$. $d^2$	$I$. $-0.6$
$B$. $d^4$	$II$. $-0.8$
$C$. $d^6$	$III$. $-1.2$
$D$. $d^8$	$IV$. $-0.4$

નીચેના સંકીર્ણ આયનો માટે શોષાયેલા પ્રકાશની તરંગલંબાઈનો સાચો ઘટતો ક્રમ ઓળખો:
$I. [Co(H_2O)_6]^{3+}$
$II. [Co(CN)_6]^{3-}$
$III. [CoI_6]^{3-}$
$IV. [Co(en)_3]^{3+}$

Similar Questions

નીચેનામાંથી કયા સંકીર્ણનું ક્રિસ્ટલ ફિલ્ડ સ્પ્લિટિંગ એનર્જી $(\Delta_o)$ નું મૂલ્ય સૌથી વધુ છે?

નીચેના સંકીર્ણો માટે દ્રશ્યમાન વિભાગમાં શોષણની તરંગલંબાઇનો સાચો ક્રમ કયો હશે?

નીચેનામાંથી કયા સવર્ગ સંકીર્ણ માટે $\Delta_0$ નું મૂલ્ય મહત્તમ હશે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module

નીચેના સંકીર્ણ આયનો માટે શોષાયેલા પ્રકાશની તરંગલંબાઈનો સાચો ઘટતો ક્રમ ઓળખો: $I. [Co(H_2O)_6]^{3+}$ $II. [Co(CN)_6]^{3-}$ $III. [CoI_6]^{3-}$ $IV. [Co(en)_3]^{3+}$