यदि एक डायोड में अग्र वोल्टेज (forward voltage) को बढ़ाया जाता है,तो अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $\qquad$ .

निम्नलिखित सिलिकॉन-आधारित ट्रांजिस्टर सर्किट में $V_{CE}$ ज्ञात कीजिए। ($V$ में)

दिए गए परिपथ में एक $12 \, V$ की बैटरी,एक $4 \, \Omega$ का प्रतिरोधक और समानांतर में दो शाखाएं हैं,जिनमें से प्रत्येक में एक आदर्श डायोड और एक प्रतिरोधक है। शाखा $1$ में डायोड $D_1$ और $3 \, \Omega$ का प्रतिरोधक है,जबकि शाखा $2$ में डायोड $D_2$ और $2 \, \Omega$ का प्रतिरोधक है। परिपथ में प्रवाहित होने वाली धारा ज्ञात कीजिए। ($, A$ में)

$P-N$ जंक्शन का विभव प्राचीर (potential barrier) $0.5 \ V$ है। अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $5.0 \times 10^{-7} \ m$ है,तो विद्युत क्षेत्र की गणना कीजिए।

निम्नलिखित में से किस चित्र में डायोड उत्क्रम अभिनत (reverse biased) है?

जब एक $p-n$ जंक्शन पर फॉरवर्ड बायस लगाया जाता है, तो यह . . . . . . ।