P-N जंक्शन में,जब बायसिंग . . . होती है तो सर | vedclass

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Question

(B) $P-N$ जंक्शन में,जब डायोड रिवर्स-बायस्ड होता है,तो डिप्लेशन लेयर चौड़ी हो जाती है। जैसे-जैसे रिवर्स वोल्टेज बढ़ता है,जंक्शन पर विद्युत क्षेत्र बहु

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रिवर्स

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(B) $P-N$ जंक्शन में,जब डायोड रिवर्स-बायस्ड होता है,तो डिप्लेशन लेयर चौड़ी हो जाती है। जैसे-जैसे रिवर्स वोल्टेज बढ़ता है,जंक्शन पर विद्युत क्षेत्र बहुत मजबूत हो जाता है। यह मजबूत विद्युत क्षेत्र अल्पसंख्यक आवेश वाहकों को उच्च वेग से त्वरित करता है,जो परमाणुओं से टकराकर आयनीकरण के माध्यम से और अधिक इलेक्ट्रॉनों को बाहर निकालते हैं। यह प्रक्रिया संचयी होती है और इसके परिणामस्वरूप करंट में अचानक बड़ी वृद्धि होती है,जिसे एवलांच करंट कहा जाता है। इसलिए,रिवर्स बायसिंग के दौरान एवलांच करंट प्रवाहित होता है।

$P-N$ जंक्शन में,जब बायसिंग . . . होती है तो सर्किट में एवलांच करंट प्रवाहित होता है।

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चित्र में दिखाए गए नेटवर्क में दो आदर्श डायोड जुड़े हुए हैं। $A$ और $B$ के बीच तुल्य प्रतिरोध $.......\Omega$ है।

डायोड के लिए,अलग-अलग तापमान पर अभिलक्षणिक वक्र दिए गए हैं। तापमान के बीच का संबंध है

$p-n$ जंक्शन डायोड में विसरण धारा (diffusion current) की दिशा होती है

दिखाए गए चित्र में, यदि डायोड का फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप $0.2 \, V$ है, तो $A$ और $B$ के बीच वोल्टेज का अंतर क्या है ($V$ में)?

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