एक p-n जंक्शन डायोड में,अवक्षय परत (depletion | vedclass

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Question

(C) दिया गया है: अवरोध विभव,$V = 0.3 ~V$। अवक्षय परत की मोटाई,$d = 2 	imes 10^{-6} ~m$। विद्युत क्षेत्र $E$ का सूत्र $E = \frac{V}{d}$ है। मान रखने प

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$1.5 	imes 10^5 ~Vm^{-1}$,$n$ से $p$ की ओर

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(C) दिया गया है: अवरोध विभव,$V = 0.3 ~V$। अवक्षय परत की मोटाई,$d = 2 	imes 10^{-6} ~m$। विद्युत क्षेत्र $E$ का सूत्र $E = \frac{V}{d}$ है। मान रखने पर: $E = \frac{0.3}{2 	imes 10^{-6}} = 0.15 	imes 10^6 = 1.5 	imes 10^5 ~V/m$। एक $p-n$ जंक्शन में,अवक्षय परत $n$-साइड से $p$-साइड की ओर इलेक्ट्रॉनों और $p$-साइड से $n$-साइड की ओर होल्स के विसरण (diffusion) के कारण बनती है। इससे $n$-साइड पर धनात्मक आवेश और $p$-साइड पर ऋणात्मक आवेश उत्पन्न होता है। इसलिए,विद्युत क्षेत्र की दिशा $n$-साइड से $p$-साइड की ओर होती है।

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