$p$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં,એક્સેપ્ટર લેવલ વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $50 \text{ meV}$ પર છે. એક હોલ ઉત્પન્ન કરવા માટે,જરૂરી પ્રકાશના ફોટોનની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($\mu \text{m}$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક,$h = 6.6 \times 10^{-34} \text{ Js}$ અને શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ,$c = 3 \times 10^8 \text{ m/s}$)

સેમિકન્ડક્ટરમાં રહેલા ડોનર પરમાણુમાં એક ઢીલી રીતે બંધાયેલો ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. આ ઇલેક્ટ્રોનની કક્ષા સેમિકન્ડક્ટર મટીરીયલ દ્વારા નોંધપાત્ર રીતે પ્રભાવિત થાય છે,પરંતુ તે ઘણી રીતે હાઇડ્રોજન ન્યુક્લિયસની આસપાસ ફરતા ઇલેક્ટ્રોન જેવું વર્તન કરે છે. જો ઇલેક્ટ્રોનનું અસરકારક દળ $0.07 \, m_e$ હોય,જ્યાં $m_e$ એ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનનું દળ છે અને જે અવકાશમાં તે ગતિ કરે છે તેની પરમિટિવિટી $13 \, \varepsilon_0$ છે,તો ઇલેક્ટ્રોનની સૌથી નીચી ઉર્જા કક્ષાની ત્રિજ્યા આશરે ................. $\mathring{A}$ હશે (હાઇડ્રોજન પરમાણુની બોહર ત્રિજ્યા $0.53 \mathring{A}$ લો).

$n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

$P-$ પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર ત્યારે બને છે જ્યારે:

$N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

જ્યારે $Ge$ સ્ફટિકોમાં ફોસ્ફરસ પરમાણુઓનું ડોપિંગ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તે શું બને છે?