एक $p-n$ जंक्शन डायोड में,गर्म होने के कारण तापमान में परिवर्तन

  • A
    केवल रिवर्स प्रतिरोध को प्रभावित करता है
  • B
    केवल फॉरवर्ड प्रतिरोध को प्रभावित करता है
  • C
    $p-n$ जंक्शन की समग्र $V-I$ विशेषताओं को प्रभावित करता है
  • D
    $p-n$ जंक्शन के प्रतिरोध को प्रभावित नहीं करता है

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$pn$ जंक्शन के लिए,स्पेस चार्ज क्षेत्र (space charge region) की चौड़ाई लगभग $\qquad$ $\mu m$ होती है।

निम्नलिखित परिपथ में एक वेवफॉर्म लागू किया गया है। एक आदर्श डायोड विन्यास और $R_1 = R_2$ मानते हुए, निम्नलिखित में से कौन सा आउटपुट वेवफॉर्म उत्पन्न होगा?

Difficult
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मान लीजिए कि फॉरवर्ड बायस स्थिति में एक सिलिकॉन डायोड पर $0.7 \text{ V}$ का वोल्टेज ड्रॉप होता है, तो परिपथ में डायोड $D_1$ से होकर बहने वाली धारा . . . . . . $\text{mA}$ है। (मान लें कि दिए गए परिपथ में सभी डायोड समान हैं)

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थ्रेशोल्ड वोल्टेज क्या है? $Ge$ और $Si$ के लिए थ्रेशोल्ड वोल्टेज का मान लिखिए।

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