$P-$प्रकार के अर्धचालक में,जर्मेनियम को किसके साथ डोप किया जाता है?

एक शुद्ध अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन और होल की सांद्रता समान $10^{16} \ m^{-3}$ है। गैलियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_{h}$ बढ़कर $5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाता है। तो,डोप्ड अर्धचालक में $n_{e}$ का मान क्या होगा?

जब एक $n$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) को गर्म किया जाता है,

अशुद्ध अर्धचालक (semiconductor),डोपिंग और डोपेंट क्या हैं?

कमरे के तापमान पर आंतरिक $Ge$ के एक नमूने में इलेक्ट्रॉनों और होल्स की गतिशीलता (mobilities) क्रमशः $0.35 \, m^2/V-s$ और $0.18 \, m^2/V-s$ है। यदि इलेक्ट्रॉन और होल घनत्व प्रत्येक $2.5 \times 10^{19} \, /m^3$ के बराबर हैं,तो $Ge$ की चालकता.....$S/m$ होगी। ($.12$ में)

अर्धचालक (semiconductor) में होल (hole) की अवधारणा को समझाइए।