एक फोटोडायोड में,एकवर्णी प्रकाश पुंज द्वारा उत्पन्न $emf$ का मान किसके सीधे आनुपातिक होता है?

एक लाइट एमिटिंग डायोड $(LED)$ में $2\,V$ का वोल्टेज ड्रॉप होता है और जब यह $6\,V$ की बैटरी के साथ एक लिमिटिंग रेजिस्टर $R$ के माध्यम से संचालित होता है,तो इसमें $10\,mA$ की धारा प्रवाहित होती है। $R$ का मान $......\,k\Omega$ है।

एक फोटो-डायोड के पदार्थ का बैंडगैप $2.0 \ eV$ है। यह पदार्थ न्यूनतम किस आवृत्ति वाले विकिरण का अवशोषण कर सकता है?

निम्नलिखित कथनों $A$ और $B$ पर विचार करें और सही उत्तर की पहचान करें:
$A$. सौर सेल के लिए,$I-V$ अभिलक्षण दिए गए ग्राफ के $IV$ चतुर्थांश में स्थित होते हैं।
$B$. एक रिवर्स बायस्ड $pn$ जंक्शन डायोड में,$(\mu A)$ में मापा गया करंट बहुसंख्यक आवेश वाहकों (majority charge carriers) के कारण होता है।

$LED$ का $I-V$ अभिलक्षण निम्नलिखित में से किस ग्राफ द्वारा दर्शाया गया है?

यदि एक अर्धचालक फोटोडायोड $400\, nm$ की अधिकतम तरंगदैर्ध्य वाले फोटॉन का पता लगा सकता है, तो इसकी बैंड गैप ऊर्जा क्या होगी ($ eV$ में)? (दिया गया है: प्लांक नियतांक $h = 6.63 \times 10^{-34}\, J \cdot s$, प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^{8}\, m/s$)