एक अर्धचालक $p-n$ डायोड में, $p$-पक्ष और $n$-पक्ष पर डोपिंग सांद्रता क्रमशः $10^{15} \text{ atoms/cm}^3$ और $10^{18} \text{ atoms/cm}^3$ है। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

• A
  इंटरफ़ेस के दोनों ओर अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई समान होती है
• B
  $n$-पक्ष की तुलना में $p$-पक्ष पर अवक्षय परत की चौड़ाई अधिक होती है
• C
  $p$-पक्ष की तुलना में $n$-पक्ष पर अवक्षय परत की चौड़ाई अधिक होती है
• D
  $p$ और $n$-पक्षों पर असमान डोपिंग सांद्रता के कारण कोई अवक्षय परत नहीं बनती है