ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $\nu$ ને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ ની વિરુદ્ધ આલેખવામાં આવે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીનું કાર્ય વિધેય (work function) શેના દ્વારા આપવામાં આવે છે? ($e$ એ ઈલેક્ટ્રોનિક ચાર્જ છે)

જ્યારે $v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ બે ધાતુની પ્લેટો $A$ અને $B$ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો $A$ નું વર્ક ફંક્શન $B$ કરતા વધારે હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ અને આપાત આવૃત્તિ $v$ વચ્ચે દોરવામાં આવેલા નીચેનામાંથી કયો આલેખ સાચો છે?

બે સમાન ફોટો-કેથોડ $f_1$ અને $f_2$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ મેળવે છે. જો બહાર આવતા ફોટો-ઇલેક્ટ્રોન (દળ $m$) ના વેગ અનુક્રમે $v_1$ અને $v_2$ હોય,તો:

$8 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન $1.6 \times 10^{15} \ Hz$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ($eV$ માં) કેટલી હશે? ($h = 6 \times 10^{-34} \ J \cdot s$ અને $1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J$ લો)

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના અવલોકનોના સંદર્ભમાં,નીચે આપેલા વિધાનોમાંથી સાચા વિધાનો ઓળખો:
$A.$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો વર્ગ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
$B.$ પ્રકાશના સ્ત્રોતને ધાતુની સપાટીથી દૂર લઈ જવાથી સેચ્યુરેશન પ્રવાહનું મૂલ્ય વધે છે.
$C.$ $LED$ (લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ) પ્રકાશ સ્ત્રોતની પાવર ઘટાડવાથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ઘટે છે.
$D.$ ધાતુની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ત્વરિત ઉત્સર્જન પ્રકાશ/વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોના કણ સ્વરૂપ દ્વારા સમજાવી શકાતું નથી.
$E.$ થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈનું અસ્તિત્વ પ્રકાશ/વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોના તરંગ સ્વરૂપ દ્વારા સમજાવી શકાતું નથી.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ વિરુદ્ધ મહત્તમ ગતિઊર્જા $(K.E._{max})$ નો આલેખ આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ છે. આલેખનો ઢાળ અને $X$-અક્ષ પરનો અંતઃછેદ અનુક્રમે શું છે?