$1.8\, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનની પ્રક્રિયામાં,સૌથી વધુ ઊર્જા ધરાવતા ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $0.5\, eV$ છે. તો તેને અનુરૂપ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ......... $V$ છે.

પ્રકાશના તરંગ સાથે સંકળાયેલ વિદ્યુત ક્ષેત્ર $E = E_0 \sin [1.57 \times 10^7 (x - ct)]$ દ્વારા આપવામાં આવે છે,જ્યાં $x$ મીટરમાં અને $t$ સેકન્ડમાં છે. જો આ પ્રકાશનો ઉપયોગ $1.9 \ eV$ કાર્ય વિધેય ધરાવતી ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન ઉત્પન્ન કરવા માટે કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલા $V$ હશે?

ધાતુનું વર્ક ફંકશન $2.51 \ eV$ છે. તો તેની થ્રેસોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

એક ઇલેક્ટ્રોન અને પ્રોટોન એકબીજાથી ઘણા દૂર છે। ઇલેક્ટ્રોન $3 \, eV$ ની ગતિઊર્જા સાથે પ્રોટોન તરફ ગતિ કરવાનું શરૂ કરે છે। પ્રોટોન ઇલેક્ટ્રોનને પકડી લે છે અને હાઇડ્રોજન પરમાણુને બીજી ઉત્તેજિત અવસ્થામાં બનાવે છે। પરિણામી ફોટોન $4000 \, Å$ ની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ ધરાવતી પ્રકાશસંવેદનશીલ ધાતુ પર આપાત થાય છે। ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? ($eV$ માં)

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં $310 \,nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ વપરાય છે. પ્રયોગમાં $2.5 \,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતા ધાતુના ઈલેક્ટ્રોડનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($V$ માં)? (ધારો કે $hc = 1240 \,eV-nm$)

જ્યારે ધાતુની સપાટી પર આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $\lambda_1$ થી ઘટાડીને $\lambda_2$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા ત્રણ ગણી થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય શોધો. [$h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c =$ પ્રકાશનો વેગ]