ઉપરની પ્રક્રિયામાં,ઇલેક્ટ્રોફાઇલ માત્ર મેટા સ્થાન પર જ વિસ્થાપિત થાય છે,તેનું કારણ છે:
$I$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ઓર્થો અને પેરા સ્થાન પર વધુ છે
$II$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ઓર્થો અને પેરા સ્થાન પર પ્રમાણમાં ઓછી છે
$III$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા મેટા સ્થાન પર ઓછી છે
$IV$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા મેટા સ્થાન પર પ્રમાણમાં વધુ છે
સાચો જવાબ છે:

• A
  માત્ર $I, III$
• B
  માત્ર $II, IV$
• C
  માત્ર $I$
• D
  માત્ર $III$