दिए गए परिपथ में,यदि डायोड के लिए फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप $0.5\, V$ है,तो परिपथ में धारा.....$mA$ होगी।

चित्र में एक अर्धचालक डायोड के $I-V$ अभिलक्षण दर्शाए गए हैं। $V = -8 \text{ V}$ और $I_{d} = 10 \text{ mA}$ पर डायोड का प्रतिरोध क्रमशः क्या होगा?

$p-n$ जंक्शन का बैरियर विभव (barrier potential) निम्नलिखित में से किस पर निर्भर करता है:
$(1)$ अर्धचालक पदार्थ का प्रकार
$(2)$ डोपिंग की मात्रा
$(3)$ तापमान
निम्नलिखित में से कौन सा सही है?

जब एक $P-N$ जंक्शन पर कोई बायस लागू नहीं किया जाता है,तो धारा:

एक $P-N$ जंक्शन में,अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $10^{-6} \ m$ है और विभव प्राचीर (potential barrier) $0.1 \ V$ है। विद्युत क्षेत्र ($V/m$ में) क्या होगा?

निम्नलिखित में से कौन सा फॉरवर्ड बायस डायोड को दर्शाता है?