$PN-$જંકશન ડાયોડની ફોરવર્ડ બાયસ ગોઠવણીમાં:

$p-n$ જંકશન ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં $20 \, mA$ સુધીનો પ્રવાહ સહન કરી શકે છે। ડાયોડના બે છેડા વચ્ચેનો પોટેન્શિયલ તફાવત $0.5 \, V$ છે, જે પ્રવાહથી સ્વતંત્ર માનવામાં આવે છે। જ્યારે $125 \, \Omega$ નો અવરોધ તેની સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે ત્યારે ડાયોડને ફોરવર્ડ બાયસ કરવા માટે વપરાતી બેટરીનો મહત્તમ વોલ્ટેજ કેટલો હશે ($V$ માં)?

ધારો કે ફોરવર્ડ બાયસ સ્થિતિમાં સિલિકોન ડાયોડ પર $0.7 \text{ V}$ નો વોલ્ટેજ ડ્રોપ થાય છે, તો પરિપથમાં ડાયોડ $D_1$ માંથી વહેતો પ્રવાહ . . . . . . $\text{mA}$ છે. (ધારો કે આપેલ પરિપથમાં બધા ડાયોડ સમાન છે)

બે સમાન $p-n$ જંકશનને નીચે દર્શાવ્યા મુજબ ત્રણ રીતે બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવ્યા છે. કયા પરિપથમાં બંને $p-n$ જંકશન પરનો પોટેન્શિયલ ડ્રોપ સમાન હશે?

આકૃતિમાં દર્શાવેલ ડાયોડ પૈકી કયો ડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં છે?

આદર્શ ડાયોડ માટે,નીચેની ગોઠવણીમાં પ્રવાહ કેટલો હશે?