કઈ આકૃતિમાં જંકશન ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસ્ડ (forward biased) છે?

સિલિકોન $P-N$ જંકશનમાં ફોરવર્ડ અને રિવર્સ બાયસમાં ચાર્જ કેરિયર્સની ગતિ માટેના મુખ્ય મિકેનિઝમ કયા છે?

અનબાયસ્ડ $PN$ જંકશનના ડેપ્લેશન ઝોન (depletion zone) વિશે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A$: રિવર્સ-બાયસ સ્થિતિમાં ડાયોડ ખૂબ જ ઓછો પ્રવાહ આપે છે જે એક નિર્ણાયક મર્યાદા સુધી વોલ્ટેજથી લગભગ સ્વતંત્ર હોય છે, જેના પર પ્રવાહમાં તીવ્ર વધારો થાય છે.
કારણ $R$: નિર્ણાયક વોલ્ટેજ મર્યાદાની નીચે, માત્ર મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સ વહે છે જે નિર્ણાયક વોલ્ટેજની ઉપર તીવ્રતાથી વધે છે.

નીચેના વાક્યોમાં કયું વિધાન ખોટું છે? જે ઉપકરણમાં $P$ અને $N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરનો ઉપયોગ થાય છે તે વેક્યૂમ ટ્યુબ કરતાં વધુ ઉપયોગી છે કારણ કે:

નીચે આપેલા સર્કિટ $A$ અને $B$ માં વહેતો પ્રવાહ અનુક્રમે કેટલો હશે?