ધારો કે $v_1$ અને $v_2$ એ ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ છે જ્યારે ધાતુની સપાટીને અનુક્રમે $E_1 = 4 \text{ eV}$ અને $E_2 = 2.5 \text{ eV}$ ઊર્જા ધરાવતા પ્રકાશના તરંગો વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. જો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $2 \text{ eV}$ હોય,તો ગુણોત્તર $\frac{v_1}{v_2}$ કેટલો થાય?

નિકલનું વર્ક ફંક્શન $5 \text{ eV}$ છે. જ્યારે $2000 \text{ Å}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ તેના પર પડે છે,ત્યારે તે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત કેટલો હશે ($\text{ V}$ માં)? (આપેલ છે: $h = 6.67 \times 10^{-34} \text{ J-s}$)

જ્યારે ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે, ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જો તે જ સપાટીને $6\lambda$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V/12$ થાય છે. સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

જ્યારે $4.2 \text{ eV}$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન $10 \text{ cm}$ ત્રિજ્યા અને $2.4 \text{ eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતા ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુના ગોળા પર આપાત થાય છે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. ઉત્સર્જન બંધ થાય તે પહેલાં ઉત્સર્જિત થયેલા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા કેટલી હશે?
$\left[\frac{1}{4 \pi \epsilon_0}=9 \times 10^9 \text{ SI unit; } e=1.6 \times 10^{-19} \text{ C}\right]$

એક ચોક્કસ ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $v_0$ છે. જ્યારે $2v_0$ આવૃત્તિનું વિકિરણ આ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $2 \times 10^6 \ m/s$ છે. જો $3v_0$ આવૃત્તિનું વિકિરણ તે જ ધાતુની સપાટી પર આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ . . . . . . છે.

એક ધાતુની સપાટી પર આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિઓ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો બંને કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1:k$ હોય, તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?