$\nu_0$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $4\nu_0$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

ધાતુઓ $A$, $B$ અને $C$ માટે વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $1.92 eV$, $2.0 eV$ અને $5 eV$ છે. $4100 Å$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા આપાત વિકિરણ માટે કઈ ધાતુ(ઓ) ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે? $[h=6.63 \times 10^{-34} J s, e=1.6 \times 10^{-19} C, c=3 \times 10^8 m/s]$.

એક ફોટો-એમિસિવ પદાર્થને $\lambda_i$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે જેથી તે $\lambda_c$ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન મુક્ત કરે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરી શકે તેવા વિકિરણની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ $\lambda_0$ છે. ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ માટેનું સૂત્ર શું છે? ($m$: ઇલેક્ટ્રોનનું દળ,$h$: પ્લાન્કનો અચળાંક અને $c$: પ્રકાશની ઝડપ).

ધાતુ $A$ અને $B$ ના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર $1: 2$ છે. જો $f$ અને $2f$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ અનુક્રમે સપાટી $A$ અને $B$ પર આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે અને ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? [આપેલ છે: $m=$ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશનો વેગ]

$1 \times 10^{-4} \, m^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ પર $16 \, mW/m^2$ તીવ્રતા ધરાવતા વિકિરણ આપાત થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય $5 \, eV$ છે. આપાત ફોટોનની ઊર્જા $10 \, eV$ છે અને માત્ર $10\%$ ફોટોન ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે છે. પ્રતિ સેકન્ડ ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને તેમની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા અનુક્રમે કેટલી હશે? $[1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J]$