તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટી પર આપાત થાય છે અને $E$ ઉર્જા સાથે ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો $E$ ને મૂળ મૂલ્ય કરતા બમણું કરવામાં આવે,તો તરંગલંબાઈ બદલાઈને $\lambda_1$ થાય છે. નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?

જ્યારે ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. જો તે જ સપાટીને $3\lambda$ તરંગલંબાઈના વિકિરણ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{V}{6}$ થાય છે. સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે નીચેનામાંથી કયા વિધાનો સાચા છે?
$I$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા પ્રકાશની આવૃત્તિ પર આધાર રાખતી નથી.
$II$ અત્યંત તીવ્ર પ્રકાશ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર હંમેશા જોવા મળે છે.
$III$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રકાશની તીવ્રતા પર આધાર રાખતી નથી.
$IV$ વધુ આવૃત્તિ માટે બહાર નીકળતા ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા વધારે હોય છે.

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ $\frac{hc}{\lambda_0}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર આપાત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ત્યારે જ થશે જો ($\lambda_0$ એ થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ છે).

બે જુદી જુદી આવૃત્તિનો પ્રકાશ કે જેના ફોટોનની ઊર્જા $1 \ eV$ અને $2.5 \ eV$ છે,તે $0.5 \ eV$ કાર્ય વિધેય વાળી ધાતુની સપાટી પર એક પછી એક આપાત કરવામાં આવે છે. ઉત્સર્જાતા ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

જ્યારે આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $E$ છે. જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ ઘટાડીને $\frac{\lambda}{3}$ કરવામાં આવે,તો મહત્તમ ગતિઊર્જા $4E$ થાય છે. તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?