થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કરતા ઓછી તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ ઘટાડવામાં આવે જેથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોન સમાન વેગથી ગતિ કરે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ:

એક ધાતુની સપાટી માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $6600 \, \mathring{A}$ છે. આ માટેનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના કિસ્સામાં,માપવામાં આવેલા સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ એક સીધી રેખા છે. આ રેખાના ઢાળને ઈલેક્ટ્રોનના વિદ્યુતભાર $(e)$ વડે ગુણતા શું મળે છે?

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટીનું કાર્ય વિધેય $\phi$ છે. જો $3 \phi$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન આ સપાટી પર આપાત થાય, તો ઉત્સર્જાતા ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $4 \times 10^6 \,m/s$ છે. જ્યારે ફોટોનની ઉર્જા વધારીને $7 \phi$ કરવામાં આવે, ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?

ટંગસ્ટનમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $400 \ nm$ છે. $0.9 \ eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા ધરાવતા ઈલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જિત કરવા માટે કઈ તરંગલંબાઈના પ્રકાશનો ઉપયોગ કરવો જોઈએ? .............. $nm$.

એક ચોક્કસ ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $v_0$ છે. જ્યારે $2v_0$ આવૃત્તિનું વિકિરણ આ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $2 \times 10^6 \ m/s$ છે. જો $3v_0$ આવૃત્તિનું વિકિરણ તે જ ધાતુની સપાટી પર આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ . . . . . . છે.