થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કરતા ઓછી તરંગલંબાઈ '$\lambda$' ધરાવતો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ પર આપાત થાય છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ ઘટાડવામાં આવે જેથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોન અમુક વેગ સાથે ગતિ કરતા હોય, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ:

જ્યારે આપાત ફોટોનની તરંગલંબાઈ ઘટાડવામાં આવે છે, ત્યારે:

જ્યારે કોઈ ચોક્કસ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી લઘુત્તમ પોટેન્શિયલ $6.0 \ V$ છે. જો બીજા સ્ત્રોતનો ઉપયોગ કરવામાં આવે જેની તરંગલંબાઈ પ્રથમ કરતા ચાર ગણી અને તીવ્રતા પ્રથમ કરતા અડધી હોય,તો આ પોટેન્શિયલ ઘટીને $0.6 \ V$ થઈ જાય છે. પ્રથમ સ્ત્રોતની તરંગલંબાઈ અને ધાતુનું વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે કેટલું હશે? $\left[\text{લો } hc = 1.24 \times 10^{-6} \ J \ m\right]$

જ્યારે એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થને $3.1 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.7 \ V$ છે. જ્યારે તે જ પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થને $2.5 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($V$ માં)?

એક ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $2.1 \text{ eV}$ છે. નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઈ તેની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરી શકશે?

ટંગસ્ટનમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $400 \ nm$ છે. $0.9 \ eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા ધરાવતા ઈલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જિત કરવા માટે કઈ તરંગલંબાઈના પ્રકાશનો ઉપયોગ કરવો જોઈએ? .............. $nm$.