$4000 \,\mathring A$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુ પર પડે છે અને $2 \,V$ નો નેગેટિવ પોટેન્શિયલ ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને અટકાવે છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન ($eV$ માં) આશરે કેટલું હશે? $(h = 6.6 \times 10^{-34} \,Js, \,e = 1.6 \times 10^{-19} \,C, \,c = 3 \times 10^8 \,m/s)$

સોડિયમ ઉત્સર્જક માટે આવૃત્તિ $(\nu)$ ના વિધેય તરીકે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ (વોલ્ટમાં) આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. આકૃતિમાં દર્શાવેલ ડેટા પરથી સોડિયમનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે? ................. $eV$
(આપેલ છે: પ્લાન્કનો અચળાંક $(h) = 6.63 \times 10^{-34} \, Js$,ઇલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $e = 1.6 \times 10^{-19} \, C$)

$400 \,nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણો $2.2 \,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી પર આપાત થાય છે। તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ આશરે કેટલું હશે ($\,V$ માં)?

જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $3.2 \times 10^{-19} \text{ J}$ હોય અને ધાતુનું વર્ક ફંક્શન $6.63 \times 10^{-19} \text{ J}$ હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અને થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ અનુક્રમે કેટલા હશે?
[પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.63 \times 10^{-34} \text{ J} \cdot \text{s}$]
[પ્રકાશનો વેગ $c = 3 \times 10^{8} \text{ m/s}$]
[ઈલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $e = 1.6 \times 10^{-19} \text{ C}$]

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરને કોના દ્વારા સમજાવી શકાય છે?

જ્યારે એકવર્ણી પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.2 \ m$ ના અંતરે હોય,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અને સંતૃપ્ત ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ અનુક્રમે $0.6 \ V$ અને $18 \ mA$ છે. જો તે જ સ્ત્રોતને ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $0.6 \ m$ દૂર મૂકવામાં આવે,તો: