$\lambda$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ એક ફોટો-સેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે અને $E$ ગતિઊર્જા સાથે ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો ગતિઊર્જા વધારીને $2E$ કરવી હોય,તો તરંગલંબાઈ બદલીને $\lambda'$ કરવી પડે,જ્યાં

ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ:

આકૃતિ ચાર અલગ-અલગ વિકિરણો માટે એનોડ પોટેન્શિયલ સાથે ફોટોકરન્ટમાં થતો ફેરફાર દર્શાવે છે. ધારો કે $f_a$,$f_b$,$f_c$ અને $f_d$ એ અનુક્રમે વક્ર $a$,$b$,$c$ અને $d$ માટેની આવૃત્તિઓ છે.

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન $3.3 \text{ eV}$ છે. તો તેની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી થશે?

$1\, cm$ ત્રિજ્યા અને $4.47\, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતા તાંબાના ગોળા પર $2500\, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા અલ્ટ્રાવાયોલેટ વિકિરણો આપાત કરવામાં આવે છે. આ વિકિરણની અસરને કારણે ગોળામાંથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે. આથી ગોળો વીજભારિત થાય છે અને તેના પર એક નિશ્ચિત પોટેન્શિયલ ઉદભવે છે. ગોળા પરનો વીજભાર શોધો:

$400 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી તરંગોનું વિકિરણ $Zn$,$Fe$ અને $Ni$ ધાતુઓની સપાટી પર આપાત થાય છે,જેમના કાર્ય વિધેય (work functions) અનુક્રમે $3.4 \ eV$,$4.8 \ eV$ અને $5.9 \ eV$ છે. ($hc = 1242 \ eV \ nm$ લો)
$(a)$ કોઈપણ ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $(KE)$ $0.3 \ eV$ છે.
$(b)$ $Ni$ ની સપાટીમાંથી કોઈ ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થતા નથી.
$(c)$ જો વિકિરણ સ્ત્રોતની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની $KE$ પણ બમણી થઈ જાય છે.
$(d)$ જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ કરતા ઓછી હોય,તો ત્રણેય ધાતુઓની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થશે.
સાચા વિધાનો છે: