મેગ્નેશિયમ એક તત્વ (X) સાથે પ્રક્રિયા કરીને આ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(D) તત્વ $(X)$ ની ઇલેક્ટ્રોનીય રચના $1s^{2} 2s^{2} 2p^{3}$ છે.આ નાઇટ્રોજન $(N)$ દર્શાવે છે,જેની પાસે $5$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે અને અષ્ટક પૂર્ણ કરવા મ

Vedclass · Accepted Answer

$Mg_{3}X_{2}$

Vedclass · Answer

(D) તત્વ $(X)$ ની ઇલેક્ટ્રોનીય રચના $1s^{2} 2s^{2} 2p^{3}$ છે.આ નાઇટ્રોજન $(N)$ દર્શાવે છે,જેની પાસે $5$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન છે અને અષ્ટક પૂર્ણ કરવા માટે $3$ ઇલેક્ટ્રોનની જરૂર છે,જેથી તે $-3$ વીજભાર ધરાવતો આયન $(N^{3-})$ બનાવે છે.મેગ્નેશિયમ $(Mg)$ એ આલ્કલાઇન અર્થ ધાતુ છે જે $2$ સંયોજકતા ઇલેક્ટ્રોન ધરાવે છે અને $+2$ વીજભાર ધરાવતો આયન $(Mg^{2+})$ બનાવે છે.તટસ્થ આયનીય સંયોજન બનાવવા માટે,વીજભાર સંતુલિત થવો જોઈએ: $3 	imes (+2) + 2 	imes (-3) = 0$.તેથી,સંયોજનનું સૌથી સાદું સૂત્ર $Mg_{3}X_{2}$ છે.

Similar Questions

નીચેનામાંથી કયા પદાર્થનું ગલનબિંદુ સૌથી વધુ છે?

નીચેનામાંથી કયા સંયોજનમાં $P-H$ બંધમાં સૌથી ઓછો સહસંયોજક ગુણધર્મ હોય છે?

નીચેનામાંથી કઈ જોડી ખોટી નથી?

$RbBr$ નું ગલનબિંદુ $682\,^{\circ}C$ છે જ્યારે $NaF$ નું ગલનબિંદુ $988\,^{\circ}C$ છે. આ હકીકત માટેનું મુખ્ય કારણ શું છે?

ઇલેક્ટ્રોવેલેન્ટ (આયનીય) બંધનું નિર્માણ શેના પર આધાર રાખે છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module