$p$-प्रकार के अर्धचालक में अल्पसंख्यक वाहक होते हैं

यदि $N_A$ मिलाए गए स्वीकर्ता (acceptor) परमाणुओं का संख्या घनत्व है और $N_D$ एक अर्धचालक में मिलाए गए दाता (donor) परमाणुओं का संख्या घनत्व है,और $n_e$ तथा $n_h$ इसमें इलेक्ट्रॉनों और कोटरों (holes) का संख्या घनत्व है,तो:

$n$-प्रकार के अर्धचालक में,इलेक्ट्रॉन बहुसंख्यक आवेश वाहक होते हैं,लेकिन यह कोई ऋणात्मक आवेश नहीं दिखाता है। इसका कारण है:

एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक के लिए,जहाँ $n_{h}$ और $n_{e}$ क्रमशः प्रति इकाई आयतन में होल्स की संख्या और प्रति इकाई आयतन में इलेक्ट्रॉनों की संख्या हैं,निम्नलिखित में से कौन सा संबंध सत्य है?

जब एक $N-$ प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) को गर्म किया जाता है,तो आवेश वाहकों (charge carriers) के साथ क्या होता है?

$300 \ K$ पर शुद्ध सिलिकॉन क्रिस्टल में इलेक्ट्रॉन और होल की सांद्रता समान $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। इंडियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_h = 4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाती है। डोप्ड सिलिकॉन में $n_e$ का मान क्या होगा?