નીચેના પૈકી કયા આઇસો-ઇલેક્ટ્રોનિક આયનોમાં સૌથ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(A) આપેલા તમામ આયનો $(O^{2-}, F^{-}, Na^{+}, Mg^{2+})$ આઇસો-ઇલેક્ટ્રોનિક છે,જેમાં દરેક પાસે $10$ ઇલેક્ટ્રોન છે.આયનીકરણ એન્થાલ્પી એ પરમાણુ અથવા આયનમાંથ

Vedclass · Accepted Answer

$O^{2-}$

Vedclass · Answer

(A) આપેલા તમામ આયનો $(O^{2-}, F^{-}, Na^{+}, Mg^{2+})$ આઇસો-ઇલેક્ટ્રોનિક છે,જેમાં દરેક પાસે $10$ ઇલેક્ટ્રોન છે.આયનીકરણ એન્થાલ્પી એ પરમાણુ અથવા આયનમાંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા માટે જરૂરી ઉર્જા છે.આઇસો-ઇલેક્ટ્રોનિક સ્પીસીઝ માટે,જેમ પરમાણુ ક્રમાંક (પ્રોટોનની સંખ્યા) વધે તેમ આયનીકરણ એન્થાલ્પી વધે છે.આપેલા આયનોમાં $O^{2-}$ નો પરમાણુ ક્રમાંક $(Z = 8)$ સૌથી ઓછો છે.તેથી,$O^{2-}$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવો સૌથી સરળ છે,જે તેને સૌથી ઓછી આયનીકરણ એન્થાલ્પી ધરાવતી સ્પીસીઝ બનાવે છે.

$I.P.$ \text{ વલણ}	કારણ
$A$. $N > O$	અર્ધ-ભરાયેલી ઇલેક્ટ્રોન રચના
$B$. $Zr < Hf$	લેન્થેનાઇડ સંકોચન
$C$. $Na > K$	$Z_{eff}$
$D$. $Al < Ga$	ટ્રાન્ઝિશન સંકોચન

નીચેના પૈકી કયા આઇસો-ઇલેક્ટ્રોનિક આયનોમાં સૌથી ઓછી આયનીકરણ એન્થાલ્પી (ionisation potential) છે?

Similar Questions

નીચેનામાંથી ખોટું વિધાન કયું છે?

નીચેનામાંથી કઈ પ્રક્રિયા માટે આયનીકરણ ઉર્જા મહત્તમ હશે?

$Mg$ અને $Al$ ની પ્રથમ આયનીકરણ એન્થાલ્પી કેટલી હોવાની અપેક્ષા રાખી શકાય?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module