એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ પર,જ્યારે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિમાં $20 \%$ નો વધારો કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $0.4 \ eV$ થી વધીને $0.7 \ eV$ થાય છે. પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($eV$ માં)?

જો ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

બે ફોટોન પ્રવાહો,જેની ઉર્જા ધાતુના વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કરતા અનુક્રમે $5$ અને $10$ ગણી છે,તે ધાતુની સપાટી પર ક્રમશઃ આપાત થાય છે. બંને કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

એક ફોટોસેન્સિટિવ પદાર્થ માટે,વર્ક ફંક્શન $W_0$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ કેટલી હશે? ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશનો વેગ,$e=$ ઇલેક્ટ્રોનિક ચાર્જ)

એક ચોક્કસ ધાતુમાંથી થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $\nu$ પર ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન થાય છે। જો $2\nu$ આવૃત્તિનું વિકિરણ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? ($m = \text{ઈલેક્ટ્રોનનું દળ}$, $h = \text{પ્લાન્કનો અચળાંક}$)

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણો ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે જરૂરી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $4.8 \ V$ છે. જો તે જ સપાટીને બમણી તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણોથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો જરૂરી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.6 \ V$ થાય છે. તો આ સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈનું મૂલ્ય કેટલું હશે?