જ્યારે કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચે ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે તેની કેપેસિટન્સ,વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત અને સ્થિતિઊર્જામાં અનુક્રમે શું ફેરફાર થાય છે?

બે સમાન કેપેસિટર $A$ અને $B$ ને $E$ જેટલા $E$.$M$.$F$. ધરાવતી બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવ્યા છે. કેપેસિટર $B$ માં $K$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી સ્લેબ છે. $Q_A$ અને $Q_B$ એ $A$ અને $B$ માં સંગ્રહિત વિદ્યુતભારો છે. જ્યારે ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ દૂર કરવામાં આવે છે,ત્યારે અનુરૂપ વિદ્યુતભારો $Q_A^{\prime}$ અને $Q_B^{\prime}$ થાય છે. તો:

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $100 \,V$ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. પ્લેટોની વચ્ચે $2 \,mm$ જાડાઈની એક પ્લેટ દાખલ કરવામાં આવે છે. ત્યારબાદ, સમાન વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત જાળવી રાખવા માટે, પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $1.6 \,mm$ વધારવામાં આવે છે. જાડી પ્લેટનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

હવામાં ડાયઇલેક્ટ્રિક ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ કેપેસિટરનો એક-ચતુર્થાંશ ભાગ ભરાય તે રીતે $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી અને પ્લેટો વચ્ચેના અંતર જેટલી જાડાઈ ધરાવતી સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે. તો નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

જો $4 \times 10^{-3} \ m$ જાડાઈ ધરાવતી અવાહક પદાર્થની પ્લેટને સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે મૂકવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સને મૂળ મૂલ્ય પર લાવવા માટે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $3.5 \times 10^{-3} \ m$ જેટલું વધારવું પડે છે. તો આ પદાર્થનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

બે સમાંતર પ્લેટો જેની વચ્ચે ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ મૂકવામાં આવ્યા છે તે આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ છે. કેપેસિટરની પરિણામી કેપેસીટન્સ શું હશે? [$A$ = પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ,$t_1, t_2, t_3$ એ ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબની જાડાઈ છે,$k_1, k_2, k_3$ એ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંકો છે.]