ધાતુની વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કરતા બમણી અને પાંચ ગણી ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન ક્રમશઃ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. આ બે કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $2 \ \text{eV}$ છે. જો તેના પર $3000 \ \text{Å}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતું વિકિરણ આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h=6.6 \times 10^{-34} \ \text{Js}$; પ્રકાશનો વેગ $c=3 \times 10^8 \ \text{m/s}$; $1 \ \text{eV}=1.6 \times 10^{-19} \ \text{J}$)

એક અલગ પડેલો સીસાનો ગોળો $\lambda = 221 \,nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા $EM$ વિકિરણ દ્વારા સતત વિકિરણિત થવાને કારણે ચાર્જ થાય છે। જો તેનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.14 \,eV$ હોય, તો સીસાના ગોળા દ્વારા પ્રાપ્ત મહત્તમ સ્થિતિમાન કેટલું હશે ($\,V$ માં)? (લો, $h = 6.63 \times 10^{-34} \,J \cdot s$, $c = 3 \times 10^8 \,m/s$, $e = 1.6 \times 10^{-19} \,C$):

જ્યારે પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $50 \, cm$ ના અંતરે હોય,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $V_0$ મળે છે. જો તે જ સ્ત્રોતને સેલથી $1 \, m$ ના અંતરે મૂકવામાં આવે,તો કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલો હશે?

એક પ્રકાશસંવેદી ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $h\nu_0$ છે. જો $2h\nu_0$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન આ સપાટી પર આપાત થાય,તો ઇલેક્ટ્રોન $4 \times 10^6 \, m/s$ ના મહત્તમ વેગ સાથે બહાર આવે છે. જ્યારે ફોટોનની ઊર્જા વધારીને $5h\nu_0$ કરવામાં આવે,ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?

આર્ગોન લેસર દ્વારા ઉત્પન્ન થયેલ $488 \, nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશનો ઉપયોગ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર માટે કરવામાં આવે છે। જ્યારે આ વર્ણપટ રેખાનો પ્રકાશ કેથોડ પર આપાત થાય છે, ત્યારે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.38 \, V$ છે। કેથોડ મટીરીયલનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($ \, eV$ માં)?