लैंथेनॉइड संकुचन का कारण है:

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Question

(A) लैंथेनॉइड संकुचन मुख्य रूप से $4f$ इलेक्ट्रॉनों के दुर्बल परिरक्षण प्रभाव (poor shielding effect) के कारण होता है। चूंकि $4f$ कक्षकों का आकार विसर

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$4f$ कक्षकों का नगण्य परिरक्षण प्रभाव (screening effect)

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(A) लैंथेनॉइड संकुचन मुख्य रूप से $4f$ इलेक्ट्रॉनों के दुर्बल परिरक्षण प्रभाव (poor shielding effect) के कारण होता है। चूंकि $4f$ कक्षकों का आकार विसरित (diffuse) होता है,इसलिए वे लैंथेनॉइड श्रेणी में आगे बढ़ने पर बढ़ते हुए नाभिकीय आवेश से बाहरी इलेक्ट्रॉनों को प्रभावी ढंग से परिरक्षित नहीं कर पाते हैं। परिणामस्वरूप,प्रभावी नाभिकीय आवेश बढ़ जाता है,जिससे परमाणु और आयनिक त्रिज्याओं में लगातार कमी आती है।

List-$I$ ($\text{संक्रमण धातु आयन}$)	List-$II$ ($\text{स्पिन ओनली चुंबकीय आघूर्ण (B.M.)}$)
$A$. $Ti^{3+}$	$I$. $3.87$
$B$. $V^{2+}$	$II$. $0.00$
$C$. $Ni^{2+}$	$III$. $1.73$
$D$. $Sc^{3+}$	$IV$. $2.84$

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एक धातु तत्व का इलेक्ट्रॉनिक विन्यास नीचे दिया गया है:
$M = 1s^2 2s^2 2p^6 3s^2 3p^6 3d^{10} 4s^1$
यह तत्व किस ब्लॉक का है?

निम्नलिखित में से उस सही विकल्प को चुनिए जिसमें सभी तत्वों का इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $d^{10}$ है:

निम्नलिखित में से किस आयन में $d-d$ संक्रमण संभव नहीं है?

तीसरी पंक्ति के संक्रमण तत्वों की उच्चतम ऑक्सीकरण अवस्था क्या है?

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