एक अर्धचालक (semiconductor) प्रबल विद्युत धारा के कारण क्षतिग्रस्त हो जाता है,इसका कारण है:

चित्र में दिखाए गए अनुसार एक संधारित्र $(20 \mu\text{F})$, एक प्रतिरोधक $(100 \Omega)$ और दो समान डायोड से बने परिपथ पर विचार करें। अग्र अभिनति (forward biasing) स्थिति में प्रत्येक डायोड का प्रतिरोध $10 \Omega$ है। परिपथ का समय नियतांक (time constant) $\alpha \times 10^{-3} \text{ s}$ है। $\alpha$ का मान . . . . . . है।

चित्र में दिखाए गए परिपथ में दो आदर्श डायोड $D_1$ और $D_2$ हैं। यदि $3 \text{ V}$ विद्युत वाहक बल (emf) और नगण्य आंतरिक प्रतिरोध वाली एक सेल को चित्रानुसार जोड़ा जाता है,तो $70 \Omega$ प्रतिरोध से होकर बहने वाली धारा (एम्पियर में) क्या होगी?

निम्नलिखित में से कौन सा रिवर्स-बायस्ड (reverse-biased) है?

एक रिवर्स-बायस्ड $PN$ जंक्शन की डिप्लेशन परत के मध्य में,

दिए गए परिपथ में सिलिकॉन डायोड के लिए अमीटर का पाठ्यांक ....... $mA$ है।