चित्र में अग्र अभिनति (forward bias) में एक $p-n$ जंक्शन डायोड की $I-V$ विशेषताएँ दिखाई गई हैं। क्रमशः $2 \; V$ और $4 \; V$ के अग्र अभिनति वोल्टेज के अनुरूप गतिशील प्रतिरोध (dynamic resistance) का अनुपात क्या है?

  • A
    $1: 2$
  • B
    $5: 1$
  • C
    $1: 40$
  • D
    $20: 1$

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एक $p-n$ जंक्शन में, अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में $5 \times 10^5 \ V/m$ का विद्युत क्षेत्र मौजूद है। $n$-साइड से $p$-साइड की ओर विसरित (diffuse) होने के लिए एक चालन इलेक्ट्रॉन की न्यूनतम गतिज ऊर्जा $3.2 \times 10^{-20} \ J$ पाई जाती है। अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई है,

दी गई आकृति में,कौन से डायोड फॉरवर्ड बायस में हैं?

निम्नलिखित में से कौन सा फॉरवर्ड बायस डायोड को दर्शाता है?

$p-n$ जंक्शन डायोड कैसे बनता है? अवक्षय परत (depletion layer) और रोधिका विभव (barrier potential) की व्याख्या कीजिए।

$pn$ जंक्शन के लिए,स्पेस चार्ज क्षेत्र (space charge region) की चौड़ाई लगभग $\qquad$ $\mu m$ होती है।

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