એક સેમિકન્ડક્ટરમાં બેન્ડ ગેપ 0.6 eV છે. આ સેમ | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(C) સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડી બનાવવા માટે જરૂરી ફોટોનની ઉર્જા ઓછામાં ઓછી બેન્ડ ગેપ ઉર્જા $(E_g)$ જેટલી હોવી જોઈએ.$E_g = 0.6 eV$આપણે જાણીએ છી

Vedclass · Accepted Answer

$2070$

Vedclass · Answer

(C) સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડી બનાવવા માટે જરૂરી ફોટોનની ઉર્જા ઓછામાં ઓછી બેન્ડ ગેપ ઉર્જા $(E_g)$ જેટલી હોવી જોઈએ.$E_g = 0.6 eV$આપણે જાણીએ છીએ કે ફોટોનની ઉર્જા $E = \frac{hc}{\lambda}$ દ્વારા આપવામાં આવે છે.મહત્તમ તરંગલંબાઇ $(\lambda_{max})$ શોધવા માટે, આપણે ફોટોનની ઉર્જાને બેન્ડ ગેપ ઉર્જા જેટલી લઈએ છીએ:$E_g = \frac{hc}{\lambda_{max}}$$\lambda_{max} = \frac{hc}{E_g}$આપેલ છે કે $hc = 1242 eV-nm$ અને $E_g = 0.6 eV$:$\lambda_{max} = \frac{1242}{0.6} nm = 2070 nm$જો તરંગલંબાઇ $2070 nm$ કરતા વધારે હોય, તો ફોટોનની ઉર્જા $0.6 eV$ કરતા ઓછી હશે, જે ઇલેક્ટ્રોનને વેલેન્સ બેન્ડમાંથી કન્ડક્શન બેન્ડમાં ઉત્તેજિત કરવા માટે અપૂરતી છે. તેથી, $2070 nm$ એ મહત્તમ તરંગલંબાઇ છે.

Similar Questions

જ્યારે $PN$ જંકશન ડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં હોય ત્યારે,

$p-n$ જંકશનનો ડેપ્લેશન રિજન (અવક્ષય વિસ્તાર):

$p-n$ જંકશન ડાયોડમાં ડેપ્લેશન રિજનની પહોળાઈમાં વધારો થવાનું કારણ શું છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module