C,Si और Ge की श्रृंखलन (catenation) प्रवृत्ति | vedclass

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Question

(A) श्रृंखलन की प्रवृत्ति बंध वियोजन ऊर्जा के सीधे समानुपाती होती है। समूह में $C$ से $Ge$ की ओर नीचे जाने पर,परमाणु आकार बढ़ता है,जिससे कक्षकों का अत

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$348, 180, 167$

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(A) श्रृंखलन की प्रवृत्ति बंध वियोजन ऊर्जा के सीधे समानुपाती होती है। समूह में $C$ से $Ge$ की ओर नीचे जाने पर,परमाणु आकार बढ़ता है,जिससे कक्षकों का अतिव्यापन (overlap) कम हो जाता है और परिणामस्वरूप बंध की मजबूती घट जाती है। $C-C$,$Si-Si$ और $Ge-Ge$ के लिए बंध वियोजन ऊर्जा क्रमशः लगभग $348 \ kJ \ mol^{-1}$,$180 \ kJ \ mol^{-1}$ और $167 \ kJ \ mol^{-1}$ है। अतः,बंध ऊर्जा का सही क्रम श्रृंखलन प्रवृत्ति के क्रम से मेल खाता है।

$C$,$Si$ और $Ge$ की श्रृंखलन (catenation) प्रवृत्ति का क्रम $Ge < Si < C$ है। $C-C$,$Si-Si$ और $Ge-Ge$ बंधों की बंध ऊर्जा ($kJ \ mol^{-1}$ में) क्रमशः क्या है?

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