એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલના કેથોડને એવી રીતે બદલવામાં આવે છે કે જેથી વર્ક ફંક્શન $W_1$ થી બદલાઈને $W_2$ $(W_2 > W_1)$ થાય છે. જો ફેરફાર પહેલા અને પછીનો પ્રવાહ અનુક્રમે $I_1$ અને $I_2$ હોય,અને અન્ય તમામ પરિસ્થિતિઓ સમાન રહેતી હોય,તો ($h\nu > W_2$ ધારીને):

$5 \times 10^{-4} \, m^2$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી બે ધાતુની પ્લેટો $A$ અને $B$ ને એકબીજાથી $1 \, cm$ ના અંતરે સમાંતર રાખવામાં આવી છે. પ્લેટ $B$ પર $33.7 \, pC$ નો ધન વિદ્યુતભાર છે. $t = 0$ સમયે $5 \, eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોનનો એક મોનોક્રોમેટિક પ્રકાશ પુંજ પ્લેટ $A$ પર પડે છે,જેથી દર સેકન્ડે પ્રતિ ચોરસ મીટર $10^{16}$ ફોટોન પડે છે. ધારો કે દર $10^6$ આપાત ફોટોન દીઠ એક ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. એમ પણ ધારો કે બધા જ ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોન પ્લેટ $B$ દ્વારા એકત્રિત કરવામાં આવે છે અને પ્લેટ $A$ નું વર્ક ફંક્શન $2 \, eV$ અચળ રહે છે. $10$ સેકન્ડના અંતે પ્લેટો વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર કેટલું હશે?

આપેલા વિધાનો માટે સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો:
વિધાન-$I$: પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા આપાત વિકિરણની તીવ્રતા પર આધાર રાખે છે.
વિધાન-$II$: ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન પ્રક્રિયામાં,આપાત પ્રકાશની તીવ્રતા વધારવાથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા વધે છે.

નીચે આપેલા બે વિધાનો $A$ અને $B$ ધ્યાનમાં લો અને જવાબમાં આપેલો સાચો વિકલ્પ ઓળખો:

"આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિમાં વધારો થતાં, ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યામાં વધારો થાય છે" - સાચું કે ખોટું?

સોડિયમની સપાટી પર $4000 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,જ્યાં ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટેની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5420 \ \mathring A$ છે. સોડિયમનું કાર્ય વિધેય ............ $eV$ છે.