$K$ ગતિઊર્જા ધરાવતા કણની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. જો તેની ગતિઊર્જા $\frac{K}{4}$ થાય,તો તે કણની તરંગલંબાઈ કેટલી થશે?

જો ઇલેક્ટ્રોનનું વેગમાન $\Delta P$ જેટલું બદલાય,તો તેની સાથે સંકળાયેલી દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈમાં $0.5\%$ નો ફેરફાર થાય છે. તો ઇલેક્ટ્રોનનું પ્રારંભિક વેગમાન કેટલું હશે?

ઓપ્ટિકલ સાધનની વિભેદન શક્તિ (resolving power) વપરાતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ પર આધાર રાખે છે. ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપ ઇલેક્ટ્રોનના કિરણપુંજનો ઉપયોગ કરે છે. તેની વિભેદન શક્તિ વધારી શકાય છે જો આપણે:

ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપમાં વપરાતા ઇલેક્ટ્રોનને $25 \ kV$ ના વોલ્ટેજ દ્વારા પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે. જો વોલ્ટેજ વધારીને $100 \ kV$ કરવામાં આવે,તો ઇલેક્ટ્રોન સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ કેટલી થશે?

એક ઇલેક્ટ્રોનને $-\sigma$ સમાન પૃષ્ઠ ઘનતા ધરાવતી અનંત અવાહક શીટની નજીક સ્થિર સ્થિતિમાંથી મુક્ત કરવામાં આવે છે. ઇલેક્ટ્રોન સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇમાં થતો ફેરફારનો દર સમયના $n^{\text{th}}$ ઘાત સાથે વ્યસ્ત પ્રમાણમાં બદલાય છે. $n$ નું આંકડાકીય મૂલ્ય . . . . . . છે.

એક ઇલેક્ટ્રોન,એક ડબલ આયોનાઇઝ્ડ હિલિયમ આયન $(He^{++})$ અને એક પ્રોટોન સમાન ગતિઊર્જા ધરાવે છે. તેમની સંબંધિત ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_{e}, \lambda_{He^{++}}$ અને $\lambda_{P}$ વચ્ચેનો સંબંધ શું છે?