$80 eV$ ઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ આશરે કેટલી હશે ($Å$ માં)? ($1 eV = 1.6 \times 10^{-19} J$,ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} kg$,પ્લાન્કનો અચળાંક $= 6.6 \times 10^{-34} J-s$).

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ અવગણ્ય વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે. સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_1$ છે. તો ગુણોત્તર $\lambda : \lambda_1^2$ શું થશે? ($h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c =$ પ્રકાશનો વેગ,$m =$ ઈલેક્ટ્રોનનું દળ)

ઈલેક્ટ્રોન $(e)$,પ્રોટોન $(p)$,ન્યુટ્રોન $(n)$ અને $\alpha$-કણની દ-બ્રોગ્લી તરંગ લંબાઈ અનુક્રમે $\lambda_e, \lambda_p, \lambda_n$ અને $\lambda_\alpha$ છે. બધાની ગતિ ઊર્જા $1 \ MeV$ સમાન છે. તેમની તરંગ લંબાઈનો સાચો વધતો ક્રમ નીચેનામાંથી કયો છે?

$V$ વોલ્ટના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત થયેલા $\alpha$-કણની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ($\mathring{A}$ માં) કેટલી છે?

એક ઇલેક્ટ્રોન અને પ્રોટોનને સમાન વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે. દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ $\lambda_{p}$ અને $\lambda_{e}$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય? $[m_{e} = \text{ઇલેક્ટ્રોનનું દળ}, m_{p} = \text{પ્રોટોનનું દળ}]$

જો ઇલેક્ટ્રોનને પ્રવેગિત કરવા માટે વપરાતો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત બમણો કરવામાં આવે,તો ઇલેક્ટ્રોન સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ $(\lambda)$ કેટલા ગણી બદલાશે?