$P-N$ जंक्शन क्षेत्र में अवक्षय परत (depletion layer) किसके कारण बनती है?

दी गई आकृति में,प्रत्येक डायोड का फॉरवर्ड बायस प्रतिरोध $30\, \Omega$ है और रिवर्स बायस में अनंत प्रतिरोध है। धारा ${I}_{1}$ का मान $....\,A$ होगा।

दिए गए परिपथ में,यदि डायोड के लिए फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप $0.5\, V$ है,तो धारा.........$mA$ होगी।

जैसा कि चित्र में दिखाया गया है,एक डायोड को बाहरी प्रतिरोधक से जोड़ा गया है। मान लीजिए कि डायोड में उत्पन्न बैरियर विभव $0.5 \ V$ है। परिपथ में धारा का मान मिली एम्पियर में ज्ञात कीजिए। ($mA$ में)

चित्र में दिखाए गए परिपथ में दो डायोड हैं,जिनमें से प्रत्येक का फॉरवर्ड प्रतिरोध $30 \, \Omega$ और बैकवर्ड प्रतिरोध अनंत है। यदि बैटरी $3 \, V$ की है,तो $50 \, \Omega$ के प्रतिरोध से होकर बहने वाली धारा (एम्पीयर में) है

$p-n$ जंक्शन में उत्पन्न होने वाले विद्युत क्षेत्र की दिशा दर्शाइए।