સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે છે અને દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ અડધું કરવામાં આવે છે. જો $C$ તેનું પ્રારંભિક કેપેસિટન્સ હોય,તો તેનું અંતિમ કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

$K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમવાળા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ લખો.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં,કેપેસીટન્સ વધે છે જો

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $4 \ mm$ છે અને વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $60 \ V$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર વધારીને $12 \ mm$ કરવામાં આવે,તો:

એક કેપેસિટર $A$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી સપાટ પ્લેટ અને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ સીડી જેવું માળખું ધરાવતી બીજી પ્લેટનું બનેલું છે. જો દરેક સીડીનું ક્ષેત્રફળ $\frac{A}{3}$ હોય અને ઊંચાઈ $d$ હોય,તો આ ગોઠવણીનું કેપેસિટન્સ કેટલું થાય?

બે સમાન ધાતુની પ્લેટોને અનુક્રમે $q_1$ અને $q_2$ $(q_2 < q_1)$ વિદ્યુતભારો આપવામાં આવે છે. જો તેમને હવે નજીક લાવીને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતું સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર બનાવવામાં આવે,તો પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $V$ કેટલો હશે?