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Question

(D) अर्धचालक (semiconductor) के लिए ऊर्जा अंतराल $(E_g)$ आमतौर पर $3 eV$ से कम होता है। तांबा,लोहा और एल्युमीनियम धातुएं (चालक) हैं जिनमें संयोजी बैंड

Vedclass · Accepted Answer

जर्मेनियम (Germanium)

Vedclass · Answer

(D) अर्धचालक (semiconductor) के लिए ऊर्जा अंतराल $(E_g)$ आमतौर पर $3 eV$ से कम होता है। तांबा,लोहा और एल्युमीनियम धातुएं (चालक) हैं जिनमें संयोजी बैंड और चालन बैंड एक-दूसरे पर अतिव्याप्त (overlap) होते हैं,जिसका अर्थ है कि उनमें पारंपरिक अर्थ में कोई ऊर्जा अंतराल नहीं होता है। जर्मेनियम एक अर्धचालक है जिसका ऊर्जा अंतराल लगभग $0.7 eV$ है। चूंकि $0.7 eV < 3 eV$,इसलिए जर्मेनियम सही उत्तर है।

निम्नलिखित में से किसके मामले में ऊर्जा अंतराल (energy gap) $ 3 eV $ से कम है?

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$Si$ का ऊर्जा बैंड अंतराल ........ $eV$ है।

$C$, $Si$ और $Ge$ की जालक संरचना समान है। $C$ कुचालक क्यों है जबकि $Si$ और $Ge$ नैज (intrinsic) अर्धचालक हैं?

यदि इस अर्धचालक (semiconductor) का जालक नियतांक (lattice constant) घटा दिया जाए,तो निम्नलिखित में से कौन सा सही है?

अर्धचालक की विद्युत चालकता:

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