चित्र में दो आरेख दिखाए गए हैं जिनमें एक डायोड और एक प्रतिरोध जुड़ा हुआ है। निम्नलिखित कथनों में से कौन सा सत्य है?
- Aआरेख $(A)$ और आरेख $(B)$ दोनों फॉरवर्ड बायस्ड हैं।
- Bआरेख $(A)$ फॉरवर्ड बायस्ड है और आरेख $(B)$ रिवर्स बायस्ड है।
- Cआरेख $(A)$ और आरेख $(B)$ दोनों रिवर्स बायस्ड हैं।
- Dआरेख $(A)$ रिवर्स बायस्ड है और आरेख $(B)$ फॉरवर्ड बायस्ड है।
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मान लीजिए कि एक $P-N$ जंक्शन में अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $10^{-6} \ m$ है और अवक्षय अवरोध (depletion barrier) का मान $0.1 \ V$ है,तो विद्युत क्षेत्र ....... $V \ m^{-1}$ है।
Easy
View Solutionयह मानते हुए कि डायोड सिलिकॉन के हैं और उनका अग्र प्रतिरोध (forward resistance) शून्य है, निम्नलिखित परिपथ में धारा $I$ .......$mA$ है।
Medium
View Solution$p-n$ जंक्शन के लिए,विद्युत क्षेत्र की तीव्रता $1 \times 10^{6} \text{ V/m}$ है और अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $5000 \text{ Å}$ है। विभव प्राचीर (potential barrier) का मान $\dots \text{ V}$ है।
किसी $p-n$ जंक्शन डायोड में जो किसी परिपथ से नहीं जुड़ा है:
निम्नलिखित परिपथ में,धाराएँ $i_1$ और $i_2$ क्रमशः हैं:
Difficult
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