कमरे के तापमान पर जर्मेनियम के ऊर्जा बैंड में वर्जित ऊर्जा अंतराल (forbidden energy gap) लगभग $......$ $eV$ होता है।

अर्धचालक में मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या घनत्व $(n)$ और तापमान $(T)$ के बीच क्या संबंध है?

यदि अर्धचालक का तापमान बढ़ाया जाता है,तो निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

अर्धचालक (semiconductor) में,निम्नलिखित में से कौन से कथन सही हैं?
$(i)$ $0\, K$ पर कोई मुक्त इलेक्ट्रॉन नहीं होते हैं।
$(ii)$ किसी भी तापमान पर मुक्त इलेक्ट्रॉन नहीं होते हैं।
$(iii)$ तापमान के साथ मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या बढ़ती है।
$(iv)$ मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या चालक (conductor) की तुलना में कम होती है।

एक अर्धचालक (semiconductor) का ऊर्जा अंतराल $1.10 \ eV$ है। वह अधिकतम तरंगदैर्ध्य ($\mathring{A}$ में) जिस पर यह ऊर्जा अवशोषण शुरू करता है, (लगभग) होगी:

कुचालकों (insulators) की विद्युत चालकता होती है