ચોક્કસ ધાતુમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરી શકે તેવી વિકિરણની મહત્તમ તરંગલંબાઈ $200 \ nm$ છે. $100 \ nm$ તરંગલંબાઈના વિકિરણને કારણે ઈલેક્ટ્રોન દ્વારા મેળવેલી મહત્તમ ગતિઊર્જા .............. $eV$ હશે.

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?

$P.E.E.$ ના પ્રયોગમાં,ઇલેક્ટ્રોનનો $KE_{max}$ એ $K_0$ છે. જો આવૃત્તિને $n_1$ ના ગુણાંકમાં વધારવામાં આવે,તો $KE_{max}$ એ $n_2K_0$ થાય છે. વર્ક ફંક્શન શોધો.

સિલ્વર અને સોડિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) અનુક્રમે $4.6 \ eV$ અને $2.3 \ eV$ છે. સિલ્વર અને સોડિયમ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વિરુદ્ધ આવૃત્તિના આલેખના ઢાળનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

એક ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિઓ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઇલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. બંને કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1:x$ છે. તેથી,ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

જ્યારે '$\lambda$' તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોસેન્સિટિવ સપાટીના ઉત્સર્જક પર પડે છે, ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ '$V$' છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને '$2\lambda/3$' કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ કેટલી હશે?